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一种高电源抑制比无片外电容设计

来源:微电子学与计算机 【在线投稿】 栏目:期刊导读 时间:2021-04-24
作者:网站采编
关键词:
摘要:随着集成电路制造工艺水平的迅猛发展,不同的功能模块,比如数字,模拟,射频电路集成在一块芯片上。然而电源噪声会大大削弱对噪声敏感的电路模块的性能,如改变VCO输出信号的

随着集成电路制造工艺水平的迅猛发展,不同的功能模块,比如数字,模拟,射频电路集成在一块芯片上。然而电源噪声会大大削弱对噪声敏感的电路模块的性能,如改变VCO输出信号的频率和相位,所以必须通过电源管理模块对外部电源进行处理,得到模块所需性能标准的电压[1-3]。

低压差线性稳压器(Low Drop-Out Regulator,LDO)是电源管理中的重要模块,电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR)决定了其对电源噪声的抑制能力[4],由于传统LDO的PSR较低,且需要外接大电容来提高电路的稳定性,不利于集成,所以,高性能LDO相继被提出[5-11]。文献[5]和[6]分别提出一种无片外电容LDO,但电源抑制比较低,不能满足对噪声敏感的射频模块的需求,文献[9]提出了一种利用两个低通滤波器提高PSR的LDO,但面积较大,不利于片上集成。

文中采用UMC 65 nm RF CMOS工艺,引入PSR增强电路,设计了一种用于射频芯片供电的,可片上集成的,高电源抑制比的无片外电容LDO。

1 LDO的PSR分析

传统LDO基本结构如图1所示,主要包括误差放大器(EA),电阻反馈网络(R1,R2),功率调整管MP。

图1 传统LDO电源噪声到输出路径

电源噪声主要通过4条路径传送到输出端[11-12]。路径一是通过带隙基准电路,误差放大器和调整管传送到输出端,此通路的传输函数和带隙基准的电源抑制比PSRbg相关。路径二是通过误差放大器,调整管传送到输出端,此通路的传输函数和误差放大器的电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)PSRRe相关,路径一和二的传输函数为式(2)。路径三是通过调整管MP的栅源寄生电容Cgs和调整管,将电源噪声转化为输出电流,从而影响输出电压。路径四是通过调整管有限的源漏电阻rds和漏源电容Cds传送到输出端,路径三和四的传输函数如式(3)所示。

其中,Ae和ωe分别是误差放大器的低频增益和输出极点,gm和rds分别是功率调整管的跨导和沟道电阻,R1和R2是反馈电阻,ZL(s)是输出端等效负载阻抗,He(s)是LDO的开环增益,β(=R2/(R1+R2))是反馈系数。

由(2)和(3)式可得低频段和高频段的总的传输函数可分别近似为:

低频情况下,由于误差放大器的增益Ae较大,式(4)的最后一项较小,即电源噪声通过路径三和四传送到输出端的噪声较小,主要是路径一和二限制了LDO的PSR,即由PSRbg和PSRRe决定,并被反馈电阻网络放大(1+R1/R2)倍,增大PSRbg和PSRRe即可提高低频段LDO的PSR。

中高频情况下,由于运算放大器有限的输出极点,通路一和二对PSR的影响相对较小,故主要是通路三和四限制了中高频情况下LDO的PSR。可通过减小路径三和四对输出的影响,从而提高中高频情况下的PSR。

由于Cgs的存在,调整管MP的栅端电压受电源噪声的影响,若调整管的栅源电压差变化ΔVgs,则输出电压变化为:

如果可以使ΔVgs=0,即调整管的栅源电压差不受电源噪声的影响,则可消除电源噪声通过路径三对输出的影响,提高LDO的PSR。

2 本文提出的LDO

2.1 LDO原理框图

本文提出的LDO框图如图2所示,去掉了传统LDO中反馈电阻R1和R2,LDO的输出直接反馈回误差放大器的输入端。在误差放大器和调整管之间引入了PSR增强电路,采用RC补偿网络保证电路稳定性,在反馈回路引入低通滤波器。

图2 本文提出的LDO框图

2.2 PSR增强电路

如图3所示,虚线左侧为PSR增强电路,虚线右侧为LDO输出级,去掉了传统LDO结构中的反馈电阻R1和R2,LDO的输出直接反馈回误差放大器的输入端。

图3 PSR增强电路

M5的栅端和源端接地,产生极小的泄漏电流,使M4的栅端电压和源端电压几乎相等,则M3的栅端电压和源端电压也几乎相等,令M4的宽长比比M3大的多,此时M3的源漏端等效为一个GΩ级的电阻,与电容C构成截止频率极低的低通滤波器,如图3中等效电路所示。在10 Hz附近,M2栅端电压的大部分噪声被滤除,使其栅端交流小信号等效接地。此种方法构成的低通滤波器,不仅滤波效果很好,而且降低了对电容C值的需求,减小了片上电容和电阻所需的版图面积,适合片上集成。

对于电源噪声Vdd,管子M2相当于一个共栅极放大器,则电源噪声Vdd传递到M2的漏端的小信号为:

其中,gm1和gm2分别为M1和M2的跨导。

本文提出的LDO中,误差放大器采用的是NMOS管输入的折叠共源共栅结构的差分放大器,根据文献[13]的分析可知,该结构对电源噪声有一定的屏蔽作用,使误差放大器的输出端几乎不受电源噪声的影响。故运放输出端,即M1的栅端不受电源噪声的影响,即电源噪声不会通过源跟随器M1传送到调整管的栅端。

文章来源:《微电子学与计算机》 网址: http://www.wdzxyjsjzz.cn/qikandaodu/2021/0424/568.html



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