天津大学微电子学与固体电子学考研资料!(2) - 微电子学与计算机杂志社投稿_期刊论文发表|版面费|电话|编辑部|论文发表- 微电子学与计算机

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天津大学微电子学与固体电子学考研资料!(2)

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摘要：

系统的专门知识。本专业具有博士学位授予权，设有博士后流动站，现有七位博士生导师，并与国内外知名企业、高校有着广泛联系，另设有专项研究生奖学金。

三、硕士期间主要课程及论文要求:

1、除学习公共基础课外，固体电子技术方向，主要学位课有:薄膜理论与技术、晶体物理以及敏感材料与传感器、微机械系统等选修课;微电子技术方向，主要学位课有半导体理论微电子器件模型以及半导体传感器、半导体新型器件，大规模集成电路设计、测试、模拟、仿真等有关选修课。2、硕士期间要求发表论文1~2篇。

四、近年来主要科研项目和成果:近年来先后完成国家攻关项目、863项目、国家重点及面上自然基金项目以及各部委、省市下达项目几十项，总经费1千多万元。现正承担国家级、各部委级、省市级项目二十余项，总经费约1000万元。

五、就业方向:本专业培养具有扎实的专业理论基础以及系统化专门知识的、全面发展的高层次、高素质、富有创造性的高级工程技术人才。硕士生毕业后能胜任在与本学科相关的领域从事技术开发、研究以及高校教学工作，并可继续攻读国内外相关学科及交叉学科的博士学位。

关于微电子学与固体电子学专业考研的考试内容和参考书的介绍。

813半导体物理或电介质物理

本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

参加半导体物理考试的考生参考，考试的内容

1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导;

4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减;

5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响)，表面电场对p-n结特性的影响;第二部分:(50%)

7、双极晶体管的基本结构、原理，少数子分布，低频电流增益和非理想效应;

8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;文章来源：《微电子学与计算机》网址: http://www.wdzxyjsjzz.cn/zonghexinwen/2020/0803/338.html