天津大学微电子学与固体电子学考研资料!(3) - 微电子学与计算机杂志社投稿_期刊论文发表|版面费|电话|编辑部|论文发表- 微电子学与计算机

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天津大学微电子学与固体电子学考研资料!(3)

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9、MOSFET的基本结构、原理，阈值电压，电流电压关系，击穿特性和频率特性;

10、MOSFET的非理想特性:亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应;

11、光器件与功率器件的原理、特点与应用

参考书目

半导体物理学，(第七版)，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。半导体物理与器件，(第四版)，赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。晶体管原理与设计，陈星弼、张庆中等，电子工业出版社。

参加电介质物理考试的考生参考，考试的内容

1、恒定电场中电介质的极化

(1)介电常数和介质极化;

(2)有效电场;

(3)克-莫方程及其应用;

(4)极性液体介质的有效电场;

(5)电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。

2、恒定电场中电介质的电导

(1)气体介质的电导;

(2)液体介质的电导;

(3)固体介质的电导-固体介质的离子电导;

(4)固体介质的表面电导;

(5)直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。

3、交变电场中电介质的损耗

(1)复介电常数和复折射率;

(2)介质损耗;

(3)弛豫现象;

(4)德拜方程;

(5)柯尔-柯尔圆弧律;

(6)介质损耗与温度的关系;

(7)计及漏电导时的介质损耗;

(8)有损耗电介质的等效电路。

参考书目

1、《电介质物理导论》，李翰如，成都科技大学出版社;

2、《电介质物理基础》，孙目珍，华南理工大学出版社;

3、《电介质物理》，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。

教材是复习的根本材料，也是答题的根本依据，考生在选择教材时应参照两个标准:一要准确。这里所说的准确不单指知识点无误，

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