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一种高电源抑制比无片外电容设计(3)

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摘要：

[7]温晓珂，谈熙，闵昊.用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO[J].固体电子学研究与进展，2011，31（3）:274-279.

[8]Ho E N Y，Mok P K fully integratedLDRwithaPower-Supplyrippleinjection filter[J].Circuits&Systems II Express Briefs IEEE Transactions on，2012，59（6）:356-360.

[9]Guo J，Leung K N.A 25mA CMOS LDO with-85dB PSRR at 2.5MHz[C]//Solid-State Circuits :381-384.

[10]王磊，杨云，许志斌，等.一种高电源噪声抑制比的LDO设计[J].微电子学，2015（5）:590-593.

[11]EL-NOZAHI M，Amer A，Torres J，et al.High PSR low drop-out regulator with feed-forward ripple cancellation technique[J].IEEE J Sol StaCirc，2010，45（3）:565-577.

[12]Park C J，Onabajo capacitor-less low drop-out regulator with 25dB superior power supply rejection in the 0.4-4MHz range[J].IEEE J Sol StaCirc，2014，49（2）:486-501.

[13]Gupta V，Rincon-Mora G A，Raha and design ofmonolithic，high PSR，linear regulators for SoC applications[C]// SOC Conference，

[14阴亚东，阎跃鹏.一种低噪声高电源抑制比CMOS低压差线性稳压器[J].固体电子学研究与进展，2013，33（6）:571-577.

[15]Yang B，Drost B，Rao S，et al.A high-PSR LDO using a feedforward supply-noise cancellation technique[C]//Custom Integrated Circuits :1-4.

[16]Khadiri K E，Qjidaa H.A low noise，high PSR low-dropout regulator for low-cost portable electronics[C]//ComputerSystems and Applications（AICCSA）.NY，USA:IEEE，2013:1-5.

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